[发明专利]TFT基板及其制作方法有效
申请号: | 201710229766.0 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN106847836B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 曾勉;刘晓娣 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT基板及其制作方法。所述TFT基板包括:依次层叠设置的衬底基板、TFT层、钝化层、以及像素电极,其中,所述像素电极包括:主电极、以及用于将主电极电性连接到TFT层上的连接电极,所述主电极为米字型的狭缝电极,所述连接电极包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极、以及连接所述多个第一分支电极的第二分支电极,通过在连接电极中设置多个条状的第一分支电极,使连接电极形成与主电极相似的形状,进而主电极区域和连接电极区域在曝光时形成相似的单缝衍射,进而减少或消除3M制程中像素电极区域的光阻层厚度差异,避免显示不良,提升3M制程良率。 | ||
搜索关键词: | tft 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种TFT基板,其特征在于,包括:衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的钝化层(3)、及设于所述钝化层(3)上的像素电极(6);所述像素电极(6)包括:主电极(61)、以及与所述主电极(61)电性连接的连接电极(62),所述连接电极(62)通过一贯穿所述钝化层(3)的像素电极过孔(5)与所述TFT层(2)电性连接,所述主电极(61)为米字型的狭缝电极,所述连接电极(62)包括多个平行间隔排列的条状的第一分支电极(621)、以及连接所述多个第一分支电极(621)的第二分支电极(622);所述米字型的狭缝电极包括:一十字形的龙骨电极(611)、包围所述龙骨电极(611)的矩形的边框电极(612),所述龙骨电极(611)和边框电极(612)划分出四个田字型分布的区域,各个区域内的分别形成有向四个不同方向延伸的条状的像素电极分支(613),各个条状的像素电极分支(613)之间形成有狭缝,相邻两个区域内的像素电极分支(613)关于该两个区域之间的龙骨电极(611)对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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