[发明专利]一种磁控溅射镀膜系统及利用其制备高纯度靶膜的方法在审

专利信息
申请号: 201710232108.7 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN106978597A 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 刘城淋;杨洪广;占勤;刘振兴 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102413 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于合金镀膜技术领域,涉及一种磁控溅射镀膜系统及利用其制备高纯度靶膜的方法。所述的磁控溅射镀膜系统包括镀膜腔室、用于向镀膜腔室提供磁控溅射载气氩气的氩气提供系统、用于对镀膜腔室进行抽真空处理的抽真空系统,镀膜腔室中包括溅射靶、可通过电机带动旋转的转盘、位于转盘上的样品架,溅射靶可向正对其的样品架上安装的基片进行磁控溅射镀膜,其中所述的溅射靶为多个,分别为不同金属或不同组成比例合金的溅射靶。用本发明的磁控溅射镀膜系统及利用其制备高纯度靶膜的方法,可在基片上镀制不同成分、含量的金属膜或合金膜。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 镀膜 系统 利用 制备 纯度 方法
【主权项】:
一种磁控溅射镀膜系统,包括镀膜腔室、用于向镀膜腔室提供磁控溅射载气氩气的氩气提供系统、用于对镀膜腔室进行抽真空处理的抽真空系统,镀膜腔室中包括溅射靶、可通过电机带动旋转的转盘、位于转盘上的样品架,溅射靶可向正对其的样品架上安装的基片进行磁控溅射镀膜,其特征在于:所述的溅射靶为多个,分别为不同金属或不同组成比例合金的溅射靶。
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