[发明专利]半导体工艺方法

摘要

一种半导体工艺方法，包含形成包括N型掺质的第一介电层于第一鳍之上，第一鳍延伸于基板的第一区域之上，及形成包括P型掺质的第二介电层于第一鳍及第二鳍之上，第二鳍延伸于基板的第二区域之上，第二介电层位于第一介电层上，及形成隔离层，介于相邻的第一鳍之间，以及介于相邻的第二鳍之间。本方法更加包括以第一掺质进行第一注入工艺，注入工艺改变隔离层的蚀刻速率，以及凹蚀隔离层、第一介电层及第二介电层，其中在凹蚀之后，第一鳍及第二鳍延伸于隔离层的上表面之上。

主权项

一种半导体工艺方法，包括：形成一包括一N型掺质的第一介电层于多个第一鳍之上，所述多个第一鳍延伸于一基板的一第一区域之上；形成一包括一P型掺质的第二介电层于所述多个第一鳍及多个第二鳍之上，所述多个第二鳍延伸于该基板的一第二区域之上，该第二介电层位于该第一介电层上；形成一隔离层，介于相邻的所述多个第一鳍之间，以及介于相邻的所述多个第二鳍之间；以一第一掺质进行一第一注入工艺，该注入工艺改变该隔离层的一蚀刻速率；以及凹蚀该隔离层、该第一介电层及该第二介电层，其中在凹蚀之后，所述多个第一鳍及所述多个第二鳍延伸于该隔离层的上表面之上。