[发明专利]空气隙的形成方法、NAND闪存及其形成方法

摘要

本发明提供了一种空气隙的形成方法、NAND闪存及其形成方法，所述空气隙的形成方法在若干间隔的栅极结构之间填充牺牲层，然后在栅极结构与牺牲层的顶部形成薄膜层，通过去除所述牺牲层两侧的衬底上的所述薄膜层形成通道，然后通过所述通道去除所述牺牲层，以在每相邻两个所述栅极结构之间形成空气隙；该方法能够通过通道完全去除牺牲层，使相邻两个所述栅极结构之间的牺牲层全部转化为空气隙，由此形成的空气隙具有较好的轮廓，且在一定程度上提高了空气隙的体积，从而能够保证空气隙的隔离效果，提高NAND闪存中栅极结构的设计密度。

主权项

1.一种空气隙的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上形成若干间隔的栅极结构；形成牺牲层，所述牺牲层填充多个所述栅极结构之间的间隙；形成薄膜层，所述薄膜层覆盖所述衬底、所述牺牲层以及所述栅极结构；去除所述牺牲层两侧的衬底上的所述薄膜层，暴露出所述牺牲层沿平行于所述栅极结构的方向的两端的侧壁；去除所述牺牲层，以在每相邻两个所述栅极结构之间形成空气隙。