[发明专利]用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构有效
申请号: | 201710233628.X | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN107293529B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 郑庆鸿;张凯峯 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/48;H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供了一种用于高接合结构的具有接触通孔阵列的焊盘结构。在一些实施例中,半导体衬底包括焊盘开口。互连结构位于半导体衬底下方,并且包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列。布线层和接触通孔阵列位于ILD层中。此外,接触通孔阵列邻接布线层并且位于布线层和半导体衬底之间。焊盘开口中的焊盘覆盖接触通孔阵列,并且突出至ILD层以接触位于接触通孔阵列的相对侧上的布线层。本发明也提供了用于制造焊盘结构的方法以及具有焊盘结构的图像传感器。本发明实施例涉及用于背照式(BSI)图像传感器的焊盘结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 背照式 bsi 图像传感器 盘结 | ||
【主权项】:
1.一种焊盘结构,包括:半导体衬底,包括焊盘开口;互连结构,位于所述半导体衬底下方,其中,所述互连结构包括层间介电(ILD)层、布线层和接触通孔阵列,其中,所述布线层和所述接触通孔阵列位于所述层间介电层中,并且其中,所述接触通孔阵列直接位于所述焊盘开口下方、位于所述布线层和所述半导体衬底之间;以及覆盖所述接触通孔阵列的焊盘,位于所述焊盘开口中,其中,所述焊盘突出至所述层间介电层内以接触所述层间介电层和所述布线层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710233628.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:散热装置
- 下一篇:半导体结构及其制造方法