[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201710233784.6 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN106847703B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 宫奎 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张京波;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置。制备方法包括:在基底上形成多晶硅层和保护层图案,保护层覆盖多晶硅层;进行第一次离子注入处理,使离子穿过保护层注入到多晶硅层中,形成重掺杂区域;灰化处理后进行第二次离子注入处理,形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案。本发明仅需采用半色调掩膜或灰色调掩膜的一次构图工艺即可形成LTPS有源层,简化了生产工艺,且通过在多晶硅层上设置保护层,保护层在光刻胶灰化处理过程中有效保护了多晶硅层,避免了多晶硅层的损伤和氧化,提高了薄膜晶体管性能的可靠性,提高了产品品质。
搜索关键词: 低温 多晶 薄膜晶体管 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:在基底上形成多晶硅层和保护层图案,所述保护层覆盖所述多晶硅层;进行第一次离子注入处理,使离子穿过所述保护层注入到所述多晶硅层中,形成重掺杂区域;灰化处理后进行第二次离子注入处理,形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710233784.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code