[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201710233784.6 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN106847703B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 宫奎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法和显示装置。制备方法包括：在基底上形成多晶硅层和保护层图案，保护层覆盖多晶硅层；进行第一次离子注入处理，使离子穿过保护层注入到多晶硅层中，形成重掺杂区域；灰化处理后进行第二次离子注入处理，形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案。本发明仅需采用半色调掩膜或灰色调掩膜的一次构图工艺即可形成LTPS有源层，简化了生产工艺，且通过在多晶硅层上设置保护层，保护层在光刻胶灰化处理过程中有效保护了多晶硅层，避免了多晶硅层的损伤和氧化，提高了薄膜晶体管性能的可靠性，提高了产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成多晶硅层和保护层图案，所述保护层覆盖所述多晶硅层；进行第一次离子注入处理，使离子穿过所述保护层注入到所述多晶硅层中，形成重掺杂区域；灰化处理后进行第二次离子注入处理，形成包括重掺杂区域、轻掺杂区域和未掺杂区域的低温多晶硅有源层图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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