[发明专利]一种沟槽金属－氧化物半导体及其制备方法在审
| 申请号： | 201710235232.9 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106876449A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌;李承杰 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司11234 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽金属－氧化物半导体,包括栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。本发明的优点是沟槽的形成只通过一步刻蚀完成，只刻蚀一次外延层，光刻时通过调节光源能量，采用光刻胶半曝光的方法在沟槽内生成厚度不同的氧化层，简化了传统制备方法中采用复合阻挡层然后通过两次刻蚀形成沟槽的方法，简化了工艺步骤，提高了制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 金属 氧化物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。
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