[发明专利]一种InAs/AlSb HEMT外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710235791.X | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107123668B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 吕红亮;张静;张玉明;张义门;张宁 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/02 |
| 代理公司： | 61223 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞晓明 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT外延结构及其制备方法。本发明公开的一种InAs/AlSb HEMT外延结构，自下而上包括：衬底、缓冲层、AlAs | ||
| 搜索关键词： | 一种 inas alsbhemt 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种InAs/AlSb HEMT外延结构，其特征在于，自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)、AlAs
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