[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，利用一半色调光罩制作BPS遮光层，该半色调光罩具有分别与薄膜晶体管及存储电容对应的第一、第二透光区、以及包围第一、第二透光区且对应相邻子像素区域的交界区域的第三透光区，第一、第二透光区的透光率相同且大于第三透光区的透光率，使BPS遮光层包括黑色矩阵、及位于黑色矩阵上且分别对应薄膜晶体管及存储电容的主光阻间隔物及辅助光阻间隔物，通过使第一透光区的长度及宽度均大于第二透光区的长度及宽度，并设置薄膜晶体管的高度大于存储电容的高度，实现主间隔物的高度大于辅助间隔物的高度；由于采用仅具有两种透光率的半色调光罩，能降低生产成本，且提升制程的稳定性和BPS遮光层的均匀性。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，所述衬底基板(10)具有多个阵列排布的子像素区域(SP)；在所述衬底基板(10)上制作薄膜晶体管(T)及存储电容(C)；步骤2、在所述薄膜晶体管(T)及存储电容(C)上依次形成钝化层(30)、色阻层(40)、及平坦层(50)；步骤3、对钝化层(30)、色阻层(40)、平坦层(50)进行刻蚀，形成贯穿钝化层(30)、色阻层(40)、平坦层(50)的过孔(51)，在所述平坦层(50)上沉积并图案化形成像素电极(60)；步骤4、提供一半色调光罩(90)，所述半色调光罩(90)包括与薄膜晶体管(T)对应的第一透光区(91)、与存储电容(C)对应的第二透光区(92)、包围第一透光区(91)及第二透光区(92)且对应相邻子像素区域(SP)的交界区域的第三透光区(93)、及除第一、第二、第三透光区(91、92、93)以外的遮光区(94)；所述第一透光区(91)与第二透光区(92)的透光率相同，第一透光区(91)的长度及宽度均大于第二透光区(92)的长度及宽度，第三透光区(93)的透光率小于第一透光区(91)的透光率；步骤5、在所述平坦层(50)及像素电极(60)上涂布黑色光阻材料，通过半色调光罩(90)对所述黑色光阻材料进行曝光、显影得到BPS遮光层(70)；所述BPS遮光层(70)包括遮挡相邻子像素区域(SP)的交界区域的黑色矩阵(71)、位于黑色矩阵(71)上且对应位于薄膜晶体管(T)上方的主光阻间隔物(72)、位于黑色矩阵(71)且对应位于存储电容(C)上方的辅助光阻间隔物(73)，所述主间隔物(72)的高度大于辅助间隔物(73)的高度。