[发明专利]一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂及晶体生长方法在审
| 申请号： | 201710238628.9 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107059109A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;朱显超;涂衡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/10;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光学材料领域，提出一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂，其特征在于，为Cs2O‑Li2O‑MoO3体系的助熔剂，体系中Cs2O，Li2O，MoO3的摩尔比为1(0.8～1.2)(1.6～2.0)。本发明还提出利用所述助熔剂的Al掺杂CsLiB6O10晶体生长方法。本发明提出的新助熔剂体系，可以有效降低晶体的生长温度，其温度范围在800～820℃之间，而且生长溶液澄清透明易于实时观察晶体生长状况。可明显减少体系的挥发度，提高生长体系的稳定性，防止漂晶形成，提高晶体生长成功率。显著地降低溶液的粘度，利于溶质传输，易于晶体生长并且几乎无包裹体产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al 掺杂 cslib6o10 晶体生长 熔剂 方法 | ||
【主权项】：
一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂，其特征在于，为Cs2O‑Li2O‑MoO3体系的助熔剂，体系中Cs2O，Li2O，MoO3的摩尔比为1：(0.8～1.2)：(1.6～2.0)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所，未经中国科学院理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710238628.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铝镁合金超双疏表面的制备方法
- 下一篇：半导体级硅单晶炉主加热器
- 一种CsLiB<SUB>6</SUB>O<SUB>10</SUB>晶体的助熔剂生长方法
- 一种钒酸—铬钼酸混合簇多酸化合物结构及制备方法
- 一种海水螺旋藻培养液
- 一种生长非线性光学晶体LiB<sub>3</sub>O<sub>5</sub>、CsB<sub>3</sub>O<sub>5</sub>和CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>的方法
- 氟碳介质在动力锂离子电池领域中的应用
- 一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂及晶体生长方法
- 一种CaBi<sub>6</sub>O<sub>10</sub>-Cu<sub>2</sub>O-NiOOH三元复合薄膜的制备方法
- 近匹配角Al掺杂CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>晶体的生长方法及光学应用
- 无人机起降平台
- 一种CLBO晶体抛光工艺
