[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710240139.7 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108735670B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，在所述核心区的所述半导体衬底上设置有第一鳍片，在所述输入输出区的所述半导体衬底上设置有第二鳍片；在所述第一鳍片和所述第二鳍片露出的表面上形成第一厚度的栅极介电层；形成横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的伪栅极材料层；形成图案化的掩膜层，以覆盖所述输入输出区内的所述伪栅极材料层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，蚀刻去除所述核心区内的所述伪栅极材料层，保留所述伪栅极材料层位于所述输入输出区内的部分；去除所述图案化的掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，在所述核心区的所述半导体衬底上设置有第一鳍片，在所述输入输出区的所述半导体衬底上设置有第二鳍片；在所述第一鳍片和所述第二鳍片露出的表面上形成第一厚度的栅极介电层；形成横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的伪栅极材料层；形成图案化的掩膜层，以覆盖所述输入输出区内的所述伪栅极材料层；以所述图案化的掩膜层为掩膜，蚀刻去除所述核心区内的所述伪栅极材料层，保留所述伪栅极材料层位于所述输入输出区内的部分；去除所述图案化的掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
