[发明专利]集成电路及其制造方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201710240263.3 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107393871A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·迈泽尔;卡尔-海因茨·格布哈特;蒂尔·施勒塞尔;德特勒夫·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 李春晖,李德山 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件的集成电路的方法、半导体器件和集成电路。本发明的方法包括在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，栅极沟槽形成为使得栅极沟槽的纵轴沿平行于第一主表面的第一方向延伸。该方法还包括形成沿与第一主表面平行的第二方向延伸的源极接触槽(S110)，第二方向垂直于第一方向，源极接触槽沿所述多个栅极沟槽延伸；形成源极区(S120)，包括穿过源极接触槽的侧壁引入掺杂剂来执行掺杂过程；以及在源极接触槽中填充牺牲材料(S130)。该方法还包括之后，形成逻辑电路元件的部件(S140)；然后从源极接触槽去除牺牲材料(S150)；以及在源极接触槽中填充源极导电材料(S160)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路的方法，所述集成电路包括横向沟槽晶体管和逻辑电路元件，所述方法包括：在半导体衬底的第一主表面中形成多个栅极沟槽(S100)，其中，所述栅极沟槽的纵轴沿平行于所述第一主表面的第一方向延伸；形成沿与所述第一主表面平行的第二方向延伸的源极接触槽(S110)，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述源极接触槽沿着所述多个栅极沟槽延伸；形成源极区(S120)，包括通过穿过所述源极接触槽的侧壁引入掺杂剂来执行掺杂过程；在所述源极接触槽中填充牺牲材料(S130)；之后形成所述逻辑电路元件的部件(S140)；然后，从所述源极接触槽去除所述牺牲材料(S150)；以及在所述源极接触槽中填充源极导电材料(S160)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
