[发明专利]静态随机存取存储器、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包含第一上拉晶体管和第一下拉晶体管、第二上拉晶体管和第二下拉晶体管、以及第一和第二传输门晶体管。第一掩埋接触件电连接第一上拉晶体管的漏极区与第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的栅电极，并包含在由第一栅极层的间隔件限定的区域中形成的第一金属层和形成在位于间隔件下面的层级处的第一导电路径。第二掩埋接触件电连接第二上拉晶体管的漏极区与第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅电极，并包含在由第二栅极层的间隔件限定的区域中形成的第二金属层和形成在位于间隔件下面的层级处的第二导电路径。本发明的实施例还提供了一种半导体器件及其制造方法。

主权项

一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：第一上拉晶体管和第一下拉晶体管；第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；第一传输门晶体管和第二传输门晶体管；第一掩埋接触件，电连接所述第一上拉晶体管的漏极区与所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅电极，并包含在由第一栅极层的间隔件限定的区域中形成的第一金属层和形成在位于所述第一栅极层的间隔件下面的平面处的第一导电路径，其中，通过所述第一栅极层形成所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的栅电极；第二掩埋接触件，电连接所述第二上拉晶体管的漏极区与所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅电极，并包含在由第二栅极层的间隔件限定的区域中形成的第二金属层和形成在位于所述第二栅极层的间隔件下面的层级处的第二导电路径，其中，通过所述第二栅极层形成所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的栅电极。