[发明专利]CCD像元结构

摘要

本发明提出了一种CCD像元结构，由衬底、吸收区、感光区、保护区、信号转移通道、信道和沟阻区组成，其中，感光区由N型区和P型区组成，N型区和P型区形成能够实现电荷倍增的PN结二极管。本发明的有益技术效果是：提出了一种新的CCD像元结构，该CCD像元结构能够在光生电荷产生之初就对其进行电荷倍增处理，如果只需要进行一次电荷倍增处理，就不必再在后端设置相应的电荷倍增结构，如果需要进行两次电荷倍增处理，只需将其与现有的电荷倍增手段相结合就能实现。

主权项

1.一种CCD像元结构，其特征在于：所述CCD像元结构由衬底（1）、吸收区（2）、感光区、保护区（3）、信号转移通道、信道（9）和沟阻区（4）组成；所述感光区、保护区（3）、信号转移通道、信道（9）和沟阻区（4）均形成在衬底上侧面的表层中；所述保护区（3）环绕在感光区的外围，保护区（3）上设置有转移缺口；所述转移缺口与感光区的输出部对应；所述信号转移通道位于转移缺口中，信号转移通道的输入端与感光区的输出部连接，信号转移通道的输出端从信道（9）的侧向与信道（9）连接；多个CCD像元结构的信号转移通道均按前述方式与信道（9）连接；所述沟阻区（4）设置在保护区（3）和信道（9）的外围；所述信道（9）的输出部与后级转移通道的输入部连接；所述感光区、保护区（3）、信号转移通道、信道（9）和沟阻区（4）所形成的结构体记为表层结构；所述吸收区（2）形成在衬底（1）中部，吸收区（2）上部与所述表层结构接触；所述感光区由N型区（5）和P型区（6）组成，所述N型区（5）位于P型区（6）的上侧，N型区（5）下部与P型区（6）接触，所述N型区（5）和P型区（6）形成能够实现电荷倍增的PN结二极管；CCD像元结构工作时，通过向信号转移电极一施加电压使N型区（5）和P型区（6）形成雪崩击穿。