[发明专利]集成电路器件和制造其的方法有效

专利信息
申请号: 201710243381.X 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN107393922B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: M.坎托罗;权兑勇;朴栽永;黄东勋;李汉基;刘素罗 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 翟然
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内,鳍式有源区域可以从基板凸出,并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。
搜索关键词: 集成电路 器件 制造 方法
【主权项】:
一种集成电路器件,包括:在器件间隔离区域的第一部分与第二部分之间的器件区域中的至少一个鳍式有源区域,所述至少一个鳍式有源区域从所述器件区域中的基板凸出并且在第一方向上延伸;在所述器件区域中的多个内隔离层,所述多个内隔离层在所述至少一个鳍式有源区域的侧壁上并且在所述第一方向上延伸;以及在所述器件间隔离区域中的外部深沟槽中的外隔离层,其中所述多个内隔离层中的至少一个从所述器件区域远离并朝所述外部深沟槽延伸。
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