[发明专利]存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法，该存储器结构包括一衬底、多个叠层、多个存储层、多个通道层、和多个接垫层。叠层设置在衬底上。这些叠层通过多个第一沟道彼此分离。叠层包括交替配置的多个第一叠层和多个第二叠层。叠层的每一者包括交替叠层的多个导电条和多个绝缘条。存储层部分地设置在第一沟道中，并以共形的方式延伸到叠层上。通道层以共形的方式设置在存储层上。接垫层至少在实质上位于第一叠层上方的多个位置设置在通道层上。

主权项

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：一衬底；多个叠层，设置在该衬底上，这些叠层通过多个第一沟道彼此分离，这些叠层包括交替配置的多个第一叠层和多个第二叠层，其中这些叠层的每一者包括交替叠层的多个导电条和多个绝缘条；多个存储层，部分地设置在这些第一沟道中，并以共形的方式延伸到这些叠层上；多个通道层，以共形的方式设置在这些存储层上；以及多个接垫层，至少在实质上位于这些第一叠层上方的多个位置设置在这些通道层上。