[发明专利]一种双地槽平行微带线90度相位移相器在审
| 申请号： | 201710245811.1 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107425288A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 何进;陈鹏伟;王豪;刘峰 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01Q3/34 | 分类号： | H01Q3/34;H01P1/18 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 彭艳君 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及毫米波无线通信技术，特别涉及一种双地槽平行微带线90度相位移相器，采用工艺130nm SiGe BiCMOS；包括地金属层和顶层金属层，输入、输出端口，电介质层和衬底层，还包括地金属层中心设置一条底层金属传输线，同时在顶层金属层上设置一条平行对称的顶层金属传输线；底层金属传输线与顶层金属传输线中心设置有180度相位反相器；地金属层上以底层金属传输线中线为轴设置两平行对称沟槽，输入端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的左端连接，输出端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的右端连接；电介质层包围在地金属层和顶层金属层的底部和外围，衬底层设置于电介质层底部。该移相器提高了信号带宽、降低了电路面积和相位误差、减小了信号损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 地槽 平行 微带 90 相位 移相器 | ||
【主权项】：
一种双地槽平行微带线90度相位移相器，采用工艺130nm SiGe BiCMOS；包括地金属层和顶层金属层，输入、输出端口，电介质层和衬底层，其特征在于，还包括地金属层中心设置一条底层金属传输线，同时在顶层金属层上设置一条平行对称的顶层金属传输线；底层金属传输线与顶层金属传输线中心设置有180度相位反相器；地金属层上以底层金属传输线中线为轴设置两平行对称沟槽，输入端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的左端连接，输出端口与顶层金属传输线和底层金属传输线的右端连接；电介质层包围在地金属层和顶层金属层的底部和外围，衬底层设置于电介质层底部。
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