[发明专利]一种提高线型磁控溅射靶枪在凹形柱面基底镀膜质量的方法

摘要

本发明涉及一种提高线型磁控溅射靶枪在凹形柱面基底镀膜质量的方法，分别利用安装在靶枪前方的掩膜板和安装在样品架上位于样品两侧对称位置的分隔板，限制大尺寸线型磁控溅射靶枪在水平和竖直方向溅射粒子的发散角度，使得溅射粒子倾斜轰击基板的入射角度减小，减小倾斜轰击基板的溅射粒子对成膜质量的不利影响，提高凹形柱面基底的薄膜质量。

主权项

1.一种提高线型磁控溅射靶枪在凹形柱面基底镀膜质量的方法，其特征在于所述方法通过加装掩膜板和分隔板的方式限制大尺寸线型磁控溅射靶枪溅射粒子入射到凹形柱面基底的角度，改善凹形柱面基底成膜质量，具体步骤如下：（1）在距离靶枪的靶面30mm~50mm处安装两块掩膜板，所述两块掩膜板与靶枪的靶面平行，两块掩膜板的间距为35mm~80mm，用于限制水平方向溅射粒子入射到柱面基底的角度，入射到柱面基底的收集角度为34.22°~49.72°；（２）在样品架上方两侧对称设置分隔板，所述分隔板平行于放置于样品架上的样品母线，垂直于样品架安装，两块分隔板间距为150mm以内，所述分隔板的尺寸为45mm×240mm，用于限制竖直方向溅射粒子入射柱面基底的角度，使入射柱面基底的角度小于52°；（３）抽取真空，使得磁控溅射腔体内真空度达到4×10‑4Pa及以下；（４）充入溅射工作气体Ar气，靶枪起辉，进行薄膜的镀制；其中：所述靶枪为线型磁控溅射靶枪，该靶枪溅射面尺寸为38mm×508mm，所述样品为凹形柱面基底，其直径为100mm~260mm，母线长度在230mm以内，弧角度在90°以内,凹形柱面基底与靶枪的靶面距离为9cm~11cm。