[发明专利]掩模图案的制作方法有效
申请号: | 201710248133.4 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN108735585B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 陈立强;李甫哲;郭明峰;朱贤士;王程钰;庄于臻 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种掩模图案的制作方法,先在基底上形成多个掩模,在掩模之间分别定义出至少一较宽沟槽和一较窄沟槽,接着形成一掩模材料填入较宽沟槽和较窄沟槽,在较宽沟槽正上方的掩模材料上表面较在较窄沟槽正上方的掩模材料上表面低,然后在较宽沟槽正上方的掩模材料上设置光致抗蚀剂,然后蚀刻掩模材料,在蚀刻的同时上表面较低的掩模材料被保护。 | ||
搜索关键词: | 掩模材料 宽沟槽 上表面 窄沟槽 掩模图案 掩模 蚀刻 蚀刻掩模材料 光致抗蚀剂 基底 填入 制作 | ||
【主权项】:
1.一种掩模图案的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层,至少两个第一掩模和至少两个第二掩模覆盖该第一材料层,该至少两个第一掩模之间定义出一第一沟槽,该至少两个第二掩模间定义出一第二沟槽,其中该第一沟槽的宽度大于该第二沟槽的宽度,形成一第二材料层顺应地覆盖该第一沟槽和该第二沟槽,一第一掩模材料填入该第一沟槽并且凸出于第一沟槽、该第一掩模材料填入该第二沟槽并且凸出于该第二沟槽,一第二掩模材料覆盖该第一掩模材料;形成一第三掩模材料,覆盖位于该第一沟槽的正上方的该第二掩模材料,曝露出位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料,其中所述第三掩模材料不覆盖所述第一沟槽侧壁的所述第二材料层,所述第三掩模材料的宽度小于所述第一沟槽的宽度;以该第三掩模材料为掩模,移除位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料;在移除位于该第二沟槽正上方的该第二掩模材料后,以该第二掩模材料为掩模,薄化位于该第二沟槽正上方的该第一掩模材料以及薄化位于该第一沟槽正上方的该第一掩模材料,直至曝露出位于该第二沟槽的侧壁上和该第一沟槽的侧壁上的该第二材料层;完全移除该第二掩模材料;移除接触该第一沟槽的侧壁的该第二材料层以形成二个第三沟槽,并且移除接触该第二沟槽的侧壁的该第二材料层以形成二个第四沟槽;以及形成该二个第三沟槽和该二个第四沟槽后,以该第一掩模材料、该至少两个第一掩模和该至少两个第二掩模为掩模,移除部分的该第一材料层以形成一掩模图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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