[发明专利]一种微测辐射热计的氧化钛热敏薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710248921.3 申请日: 2017-04-17
公开(公告)号: CN106987814A 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 杨鑫;王宏臣;陈文礼;王鹏;甘先锋;董珊;孙丰沛 申请(专利权)人: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58
代理公司: 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙)37234 代理人: 刘志毅
地址: 264006 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种微测辐射热计的氧化钛热敏薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1:对待沉积氧化钛薄膜的晶圆进行清洁处理;步骤2:提供一真空腔体,该真空腔体内具有钛靶材和待沉积氧化钛的晶圆,所述晶圆的衬底温度控制在10~200℃;步骤3:调整真空腔体的温度,使其温度控制在10~100℃,同时通入氩气和氧气,其中氧气占总气体的比例不低于0.5%,且低于10%,总气体流量保持在50~150sccm;步骤4:预溅射钛靶材5~10min,去除钛靶材表面的氧化层;步骤5:进行反应溅射,使用离子束轰击钛靶材,使钛溅射到晶圆表面,钛和真空腔体中的氧气或氧离子反应,生成氧化钛薄膜;步骤6:退火处理。
搜索关键词: 一种 辐射热 氧化 热敏 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种微测辐射热计的氧化钛热敏薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:对待沉积氧化钛薄膜的晶圆进行清洁处理;步骤2:提供一真空腔体,该真空腔体内具有钛靶材,并将清洁处理之后的晶圆放入所述真空腔体中,所述晶圆的衬底温度控制在10~200℃;步骤3:调整真空腔体的温度,使其温度控制在10~100℃,同时通入氩气和氧气,其中氧气占总气体流量的比例不低于0.5%,且低于10%,总气体流量保持在50~150sccm;步骤4:预溅射钛靶材5~10min,去除钛靶材表面的氧化层;步骤5:进行反应溅射,使用离子束轰击钛靶材,使钛溅射到晶圆表面,钛和腔体中的氧气或氧离子反应,生成氧化钛薄膜。
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