[发明专利]改善顶层金属层的黏附强度的方法有效
| 申请号： | 201710249090.1 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107086174B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成顶层金属层并进行图形化；步骤二、沉积钝化层；步骤三、沉积第二氧化硅层；步骤四、去除各顶层金属层图形块的顶部的第二氧化硅层，各顶层金属层图形块的侧面和块之间的第二氧化硅层保留，通过所保留的第二氧化硅增加各顶层金属层图形块和底部的层间膜的粘附力。本发明能提高顶层金属层的黏附强度，防止顶层金属层的小块图形的掉落，同时还能防止针孔的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 顶层 金属 黏附 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善顶层金属层的黏附强度的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在由氧化硅组成的最顶层的层间膜的表面形成顶层金属层，对所述顶层金属层进行图形化形成多个顶层金属层图形块；/n步骤二、沉积钝化层，所述钝化层覆盖在各所述顶层金属层图形块的顶部表面、侧面和各所述顶层金属层图形块之间的所述层间膜表面；控制所述钝化层的厚度使所述钝化层在各所述顶层金属层图形块的侧面不形成针孔；/n步骤三、沉积第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖在所述钝化层表面；/n步骤四、去除各所述顶层金属层图形块的顶部表面的所述钝化层表面的所述第二氧化硅层，各所述顶层金属层图形块的整个侧面或底部侧面的所述第二氧化硅层保留，各所述顶层金属层图形块之间的所述钝化层表面的所述第二氧化硅层保留，通过所保留的所述第二氧化硅增加各所述顶层金属层图形块和底部的所述层间膜的粘附力。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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