[发明专利]一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺在审
| 申请号： | 201710250474.5 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106927689A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明的种氧化物半导体薄膜及其制备工艺，薄膜成分为M2xIn2‑2xO3‑δ，且成分中不包括Zn和Sn，其中M为元素周期表中的ⅢB族元素，0.001≤x≤0.3，0≤δ＜3，采用水溶液制备，并且水溶液中不含碳元素。采用In盐和M盐的水溶液作为前驱体溶液进行水解反应，再对水解反应后的溶液进行成膜，成膜后在温度不高于300摄氏度的条件下退火制备而成。水溶液的溶质为硝酸盐、氯化物、氢氧化物或者高氯酸盐中的一种。本发明的氧化物半导体薄膜的制备方法所制备的薄膜，具有较高的电子迁移率；同时又能通过调节IIIB族元素的含量调节载流子浓度，关断性能良好、稳定性好、制备工艺简单、适用性强、环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜的制备工艺，其特征在于：薄膜成分为M2xIn2‑2xO3‑δ，且不含Zn和Sn，其中M为元素周期表中的ⅢB族元素，0.001≤x≤0.3，0≤δ＜3，其特征在于：采用In盐和M盐的水溶液作为前驱体溶液进行水解反应，再对水解反应后的溶液进行成膜，成膜后在温度不高于300摄氏度的条件下退火制备而成。
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