[发明专利]八畴像素结构有效
| 申请号： | 201710250578.6 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107065352B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 甘启明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种八畴像素结构。该八畴像素结构包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成，该次区存储电极及第二主区存储电极跨过扫描线相互导通。本发明可以达到控制主区及次区压差比的目的，不会存在主区及次区最佳公共电压差异太大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 主区 次区 存储电极 存储电容 像素结构 扫描线 薄膜晶体管 公共电极 子像素 液晶显示面板 阵列式排布 公共电压 列子像素 数据线 导通 像素 压差 跨过 | ||
【主权项】：
1.一种八畴像素结构，其特征在于，包括多个子像素在液晶显示面板内呈阵列式排布，每个子像素分为主区和次区，对应每一行子像素分别设置一条扫描线，该扫描线介于该主区和次区之间，对应每一列子像素分别设置一条数据线；还包括主区薄膜晶体管以及主区存储电容，次区薄膜晶体管以及次区存储电容；该主区存储电容由主区范围内的第一主区存储电极与相对的公共电极形成；该次区存储电容由次区范围内的次区存储电极及主区范围内的第二主区存储电极与相对的公共电极形成，该次区存储电极及第二主区存储电极跨过扫描线相互导通；该主区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接第一主区存储电极或主区的像素电极；该次区薄膜晶体管的栅极连接扫描线，其源极/漏极连接数据线，其漏极/源极连接次区存储电极或次区的像素电极。
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