[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201710250808.9 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107134480A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | S·巴尔曾 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种用于形成半导体器件的方法包括形成绝缘沟槽结构，所述绝缘沟槽结构包括从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的绝缘材料。绝缘沟槽结构横向围绕半导体衬底的部分。该方法还包括修改半导体衬底的横向围绕部分以形成包括合金材料的垂直导电结构。合金材料是半导体衬底材料和至少一种金属的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：形成绝缘沟槽结构，所述绝缘沟槽结构包括从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的绝缘材料，其中绝缘沟槽结构横向围绕半导体衬底的部分；以及修改半导体衬底的横向围绕部分以形成包括合金材料的垂直导电结构，其中合金材料是半导体衬底材料和至少一种金属的合金。
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