[发明专利]一种基于石墨烯硅倒金字塔阵列肖特基光伏电池制造方法

摘要

一种基于石墨烯硅倒金字塔阵列肖特基光伏电池制造方法，在单晶n‑Si半导体衬底上热氧化生成氧化硅(SiO2)作为隔离层，用氢氟酸HF腐蚀SiO2隔离层形成窗口，将窗口外围的SiO2隔离层和半导体背面用绝缘胶布贴覆保护起来，在窗口内采用金属辅助化学刻蚀方法制备出硅倒金字塔阵列，撕掉绝缘胶布并清洗干净，在衬底背面涂抹In/Ga合金作为背电极，在隔离层上蒸发沉积金属Au作为前电极，最后将石墨烯转移到硅倒金字塔阵列上并与前电极相连。该太阳能电池结构简单，易于制备，成本低廉，不仅可以有效减少入射光的反射，而且增大了肖特基结接触面积，从而达到提高太阳能电池转换效率的目的。

主权项

一种石墨烯硅倒金字塔阵列肖特基结光伏电池，其特征在于，包括单晶n‑Si衬底(1), 单晶n‑Si衬底(1)上面热氧化生长有SiO2隔离层(2)，在单晶硅衬底(1)背面涂抹In/Ga合金作为背电极(3)，在SiO2隔离层(2)上开窗口形成有效肖特基结区，在结区中制备有硅倒金字塔阵列(4)，在SiO2隔离层(2)的窗口周围沉积金属Au作为前电极(5)，并将石墨烯薄膜(6) 硅倒金字塔阵列(4)上。