[发明专利]用于控制磁阻式随机存取存储器器件切换的方法有效
| 申请号： | 201710250983.8 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107068173B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | D·贝多;P·M·布拉干萨;K·A·鲁宾 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了一种用于控制磁阻式随机存取存储器器件切换的方法和装置。该方法包括将电流传递给磁阻式随机存取存储器器件，其中MRAM器件处于第一状态；使用电阻检测器实时测量磁阻式随机存取存储器器件上的压降，其中压降超过阈值电压相当于从第一状态切换到第二状态，该第一状态不同于第二状态；确定MRAM器件是否已经从第一状态切换到第二状态；以及停止将电流传递给磁阻式随机存取存储器器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 磁阻 随机存取存储器 器件 切换 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件编程的方法，所述方法包括：在写入感测电路中将编程电流或编程电压传递给磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件，其中所述写入感测电路产生与所述磁阻式随机存取存储器器件上的电压或流经所述磁阻式随机存取存储器器件的电流相对应的写入感测信号；提供与期望磁状态相对应的一组标准；使用状态估计器确定所述磁阻式随机存取存储器器件的状态的估计值；以及如果估计的状态已经满足该组标准，则停止将所述电流或所述电压传递给所述磁阻式随机存取存储器器件。
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