[发明专利]用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法

摘要

本公开提供了一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法。该方法包括在衬底的前侧上提供为栅极区域定界的第一栅电极；提供第一栅极介电层；提供经图案化的金属氧化物半导体层；提供第二栅极介电层；提供第二栅极导电层；提供光致抗蚀剂层；图案化该光致抗蚀剂层；图案化第二栅极导电层，由此形成第二栅电极；以及图案化第二栅极介电层。对光致抗蚀剂层进行图案化包括执行后侧照明步骤、前侧照明步骤和光致抗蚀剂显影步骤，其中后侧照明步骤包括使用第一栅电极作为掩模从衬底的后侧对光致抗蚀剂层的照明，并且其中前侧照明步骤包括仅在边缘部分中使用对栅极区域中的光致抗蚀剂层进行曝光的掩模来从前侧对光致抗蚀剂层的照明。

主权项

一种用于制造完全自对准双栅极金属氧化物半导体薄膜晶体管(100)的方法(200、300、400)，所述方法包括：在衬底(10)的前侧(101)上提供(201、301、403)为栅极区域(120)定界的第一栅电极(12)；在所述衬底(10)和所述第一栅电极(12)上提供(202、302、404)第一栅极介电层(13)；在所述第一栅极介电层(13)上提供(203、303、405)经图案化的金属氧化物半导体层(14)，所述图案化的金属氧化物半导体层(14)为与所述栅极区域(120)的一部分部分地重叠并且延伸超过所述栅极区域(120)的两个相对的边缘的半导体区域(140)定界；在所述经图案化的金属氧化物半导体层(14)上提供(204、304、406)第二栅极介电层(15)；提供(205、305、407)第二栅极导电层(16)；提供(206、306、408)光致抗蚀剂层(21)；通过执行后侧照明步骤(207a、307a)、前侧照明步骤(207b、307b)和光致抗蚀剂显影步骤(207c、307c)来对所述光致抗蚀剂层(21)进行图案化(207、307、408)，由此形成经图案化的光致抗蚀剂层，其中所述后侧照明步骤(207a、307a)包括使用所述第一栅电极(12)作为掩模来从所述衬底(10)的后侧(102)对所述光致抗蚀剂层(21)的照明，并且其中所述前侧照明步骤(207b、307b)包括仅在边缘部分(162)中使用对所述栅极区域(120)中的所述光致抗蚀剂层(21)进行曝光的掩模(22)来从所述前侧(101)对所述光致抗蚀剂层(21)的照明；对所述第二栅极导电层(16)进行图案化(208、308、409)，由此形成第二栅电极(161)；以及对所述第二栅极介电层(15)进行图案化(209、309、409)，由此形成经图案化的第二栅极介电层(151)，其中所述光致抗蚀剂层(21)包括正性光致抗蚀剂，其中所述第二栅极导电层(16)被提供在所述第二栅极介电层(15)上，并且其中所述光致抗蚀剂层(21)被提供在所述第二栅极导电层(16)上；或者其中所述光致抗蚀剂层(21)包括负性光致抗蚀剂，其中所述光致抗蚀剂层(21)被提供在所述第二栅极介电层(15)上，并且其中所述第二栅极导电层(16)在已图案化所述光致抗蚀剂层(21)之后被提供在所述光致抗蚀剂层上并且被提供在所述第二栅极介电层(15)上。