[发明专利]一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201710253345.1 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107015174A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李建华;邹乔方;徐立新 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙)11639 | 代理人： | 毛燕 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶丝GMI磁传感器及其制作方法，属于磁传感器技术领域。制作步骤为(1)低阻硅片；(2)氧化形成SiO2绝缘层；(3)溅射Cr/Cu薄膜作为种子层；(4)腐蚀Cr/Cu种子层；(5)深硅刻蚀；(6)将非晶丝放入刻蚀的槽中；(7)涂胶、前烘、显影、HF刻蚀包裹在非晶丝两端的玻璃；(8)电镀Cu；(9)去胶；(10)去Cr/Cu种子层；(11)划片。本发明克服了传统焊接导致非晶丝两端接触电阻一致性差、难以批量生产的缺点，直接使用MEMS工艺将非晶丝两端电镀在焊盘上，解决了接触电阻一致性差的问题。该发明使传感器实现了体积小、可批量生产，从而提高了传感器的性能和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶丝 gmi 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：将缠绕有线圈的非晶丝固定在带有凹槽的硅衬底的凹槽中。
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