[发明专利]基于FinFET器件的同或/异或门电路

摘要

本发明公开了一种基于FinFET器件的同或/异或门电路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，第一FinFET管为高阈值P型FinFET管，第四FinFET管和第五FinFET管分别为低阈值P型FinFET管，第二FinFET管和第三FinFET管分别为低阈值N型FinFET管，第六FinFET管为高阈值N型FinFET管；第一FinFET管的源极接入电源；优点是使用的FinFET管数量较少，电路结构比较简单，在兼顾功耗、速度与驱动能力的同时，有效降低异或同或电路的功耗和延时，使电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。

主权项

一种基于FinFET器件的同或/异或门电路，其特征在于包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，所述的第一FinFET管为高阈值P型FinFET管，所述的第四FinFET管和所述的第五FinFET管分别为低阈值P型FinFET管，所述的第二FinFET管和所述的第三FinFET管分别为低阈值N型FinFET管，所述的第六FinFET管为高阈值N型FinFET管；所述的第一FinFET管的源极接入电源，所述的第一FinFET管的背栅、所述的第二FinFET管的源极、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第三FinFET管的背栅、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的背栅、所述的第五FinFET管的源极和所述的第六FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的同或/异或门电路的第一输入端，所述的第一FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的漏极、所述的第五FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的背栅、所述的第四FinFET管的漏极和所述的第六FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的同或/异或门电路的第二输入端，所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的漏极和所述的第三FinFET管的源极连接且其连接端为所述的同或/异或门电路的同或逻辑值输出端，所述的第四FinFET管的源极、所述的第五FinFET管的漏极和所述的第六FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的同或/异或门电路的异或逻辑值输出端，所述的第六FinFET管的源极接地。