[发明专利]一种光电二极管、X射线探测基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种光电二极管、X射线探测基板及其制作方法，该光电二极管包括：具有多个陷光结构的N型硅层，设置于N型硅层上的I型硅层，以及设置于I型硅层上的P型硅层；其中，在各陷光结构处的N型硅层、I型硅层和P型硅层构成径向结结构的PIN。由于N型硅层、I型硅层和P型硅层在各陷光结构处构成的径向结结构的PIN同时具有陷光功能，因此，该径向结结构的PIN不仅可以使光电二极管内部的光吸收方向与载流子传输方向相互垂直，从而提高了光电二极管的光电转换效率；同时可以使光在P型硅层表面发生多次反射，从而提高了光电二极管对光的吸收效率。

主权项

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：具有多个陷光结构的N型硅层，设置于所述N型硅层上的I型硅层，以及设置于所述I型硅层上的P型硅层；其中，在各所述陷光结构处的所述N型硅层、所述I型硅层和所述P型硅层构成径向结结构的PIN。