[发明专利]一种新型多功能传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法，包括硅基衬底，以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C⁴D电导率传感器、BST薄膜保护层，其中：氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方，C⁴D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围，温度传感器置于氧化硅绝缘层上方，BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C⁴D电导率传感器上表面并露出引线电极；当所述芯片置于被测溶液中时，由C⁴D测量原理，C⁴D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图，将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值；同时，温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量，具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。

主权项

1.一种新型多功能传感器芯片，其特征在于，包括：硅基衬底(1)、氧化硅绝缘层(2)、电阻型温度传感器(3)、电容耦合型不接触电导率传感器(4)和BST薄膜保护层(5)；所述氧化硅绝缘层(2)、所述电阻型温度传感器(3)、所述电容耦合型不接触电导率传感器(4)、所述BST薄膜保护层(5)均设在所述硅基衬底(1)上；其中：所述氧化硅绝缘层(2)覆盖在所述硅基衬底(1)的上方；所述电容耦合型不接触电导率传感器(4)由四个敏感电极组成，且埋在所述氧化硅绝缘层(2)中；所述电阻型温度传感器(3)置于所述氧化硅绝缘层(2)的上方；所述BST薄膜保护层(5)覆盖在所述电阻型温度传感器(3)、所述电容耦合型不接触电导率传感器(4)的上表面，同时露出电阻型温度传感器(3)和电容耦合型不接触电导率传感器(4)的引线电极；当所述的传感器芯片置于被测溶液中时，由电容耦合型不接触测量原理，所述电容耦合型不接触电导率传感器(4)输出被测溶液的阻抗图，将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应的电导率值；同时，所述电阻型温度传感器(3)输出相应的温度。