[发明专利]一种粗硒物料真空精炼提纯的方法有效

专利信息
申请号: 201710254947.9 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN106946233B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 戴卫平;速斌;陈巍;汤文通;潘建仁;杨斌;李红;陈浩;杨堃;余勇;朱坤红;杨寿云 申请(专利权)人: 昆明鼎邦科技股份有限公司
主分类号: C01B19/02 分类号: C01B19/02;C01B19/04
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650033 云南省昆明市学府*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种粗硒物料真空精炼提纯的方法,属冶金技术工程领域。其特征在于粗硒物料经熔化、脱气及真空蒸馏工序后获得精硒产品,具体包括如下步骤:步骤1、将粗硒物料加入到密闭容器中,在230℃~350℃下进行熔化;物料完全熔化后升温至250~400℃进行脱气,脱气时对密闭容器进行抽真空,并同时对硒熔体进行搅拌,获得密度大于4g/cm3的粗硒熔体;步骤2、将步骤1获得的粗硒熔体放入真空炉内,在真空度为1~20Pa,温度为500℃~1000℃下,蒸馏3~4h,产出精硒产品。本发明工艺流程短,粗硒经熔化、脱气、真空蒸馏即可产出99.9%精硒。
搜索关键词: 粗硒 熔化 脱气 熔体 精炼提纯 密闭容器 物料真空 真空蒸馏 硒产品 工程领域 冶金技术 蒸馏 工艺流程 抽真空 真空炉 放入
【主权项】:
1.一种粗硒物料真空精炼提纯的方法,其特征在于:粗硒物料经熔化、脱气及真空蒸馏工序后获得精硒产品,具体包括如下步骤:步骤1、将粗硒物料加入到密闭容器中,在230℃~350℃下进行熔化;物料完全熔化后再升温至250~400℃进行脱气,脱气时需对密闭容器进行抽真空,并同时对硒熔体进行搅拌,获得密度大于4g/cm3的粗硒熔体;将熔化及脱气过程所产出的气体进行密封冷却,硒蒸汽、其他分解产物与水一起冷凝,使排放的尾气达到排放要求;步骤2、将步骤1获得的粗硒熔体放入真空炉内,在真空度为1~20Pa,温度为500℃~1000℃下,蒸馏3~4h,产出除碲以外其他杂质元素含量符合YS/T223‑2007标准中关于硒999规定的硒产品;步骤1中粗硒物料一次性添加或连续添加到密闭容器中。
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