[发明专利]具有电压自动调节功能的负电压产生电路有效
申请号: | 201710256148.5 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN107070202B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 胡蓉彬;王永禄;张正平;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;蒋和全;胡刚毅 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 尹丽云 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供一种具有电压自动调节功能的负电压产生电路,包括负电压产生电路和反馈控制模块,通过反馈控制模块对负电压产生电路产生的负电压进行调节,本发明中的具有电压自动调节功能的负电压产生电路,可根据负载电流的大小,自动调节电荷泵充电电流大小,从而实现了输出电压的稳定,使传统的模拟电路结构在极低电源电压下也能正常工作,特别适用于深亚微米工艺,同时本发明还实现了输出电压的数字可调,不再输出单一的负电压,可根据实际需要调整所需要输出的负电压值。 | ||
搜索关键词: | 具有 电压 自动 调节 功能 产生 电路 | ||
【主权项】:
1.一种具有电压自动调节功能的负电压产生电路,其特征在于,包括:负电压产生电路,用于产生负电压;反馈控制模块,与所述负电压产生电路连接用于对负电压产生电路产生的负电压进行调节;所述负电压产生电路至少包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第一反相器和第二反相器;所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的源极连接,第二PMOS管的栅极与第一PMOS管的源极连接,第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极分别接地,第一PMOS管的衬底和第一PMOS管的衬底分别与电源连接;所述第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的源极连接,第四NMOS管的栅极与第三NMOS管的源极连接,第三NMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极、第三NMOS管的衬底和第四NMOS管的衬底互相连接并与第三电容连接;所述第一电容的下极板分别与第一PMOS管的源极和第三NMOS管的源极连接,第二电容的下极板分别与第二PMOS管的源极和第四NMOS管的源极连接,第一电容的上极板分别与第六NMOS管的漏极和第七PMOS管的漏极连接,第二电容的上极板分别与第七NMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极连接;第六NMOS管的栅极与第七PMOS管的栅极连接,其连接点与第二反相器的输出端连接,第七NMOS管的栅极与第八PMOS管的栅极连接,其连接点与第一反相器的输出端连接,第六NMOS管的源极和衬底接地,第七NMOS管的源极和衬底接地,第七PMOS管的源极和第八PMOS管的源极分别与第三PMOS管的漏极连接,第七PMOS管的衬底与电源连接,第八PMOS管的衬底与电源连接,第三PMOS管的源极和衬底与电源连接,第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接;所述反馈控制模块包括:第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第五NMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和电流源,第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接,第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第一NMOS管的衬底和第二NMOS管的衬底分别接地,第二NMOS管的栅极和漏极互相连接,其连接点与电流源的一端连接,所述电流源的另一端与电源连接;第四PMOS管的栅极和漏极连接,其连接点与第五PMOS管的栅极连接,第四PMOS管的源极、第五PMOS管的源极、第四PMOS管的衬底和第五PMOS管的衬底分别接电源,第五PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极连接,其连接点与第三PMOS管的栅极连接;第四PMOS管的漏极与第六PMOS管的源极连接,第六PMOS管的漏极与第五NMOS管的漏极连接,第六PMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极连接,第五NMOS管的源极和衬底连接,其连接点与第一电阻的一端连接,第一电阻的另一端分别与负电压产生电路的输出端和第三电容连接。
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