[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201710257863.0 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107068614B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;刘松;冯京;宁策;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，为防止显示装置的显示异常。所述阵列基板的制造方法包括：沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层，其中，第一像素电极膜层位于阵列基板的钝化层上，沉积第一像素电极膜层时不添加水汽；第二像素电极膜层位于第一像素电极膜层上；对第一像素电极膜层和第二像素电极膜层进行刻蚀，形成第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极和第二像素电极共同构成像素电极，第一像素电极通过钝化层内的过孔与阵列基板的薄膜晶体管的漏极连接。本发明提供的阵列基板的制造方法用于制造阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层，其中，所述第一像素电极膜层位于所述阵列基板的钝化层上，沉积所述第一像素电极膜层时不添加水汽；所述第二像素电极膜层位于所述第一像素电极膜层上；对所述第一像素电极膜层和所述第二像素电极膜层进行刻蚀，形成第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极共同构成像素电极，所述第一像素电极通过所述钝化层内的过孔与所述阵列基板的薄膜晶体管的漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
