[发明专利]半透明钙钛矿太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201710258429.4 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN106953018A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 周德明 | 申请(专利权)人: | 周德明 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及光电子器件技术领域,提供了一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制造方法。本发明所述钙钛矿光伏电池制造包括步骤s1、在一块ITO导电玻璃上依次沉积P型层和PbI2,获得模块1;s2、在另一块导电玻璃上依次沉积N型层和CH3NH3I,获得模块2;s3、模块1和模块2的PbI2与CH3NH3I3相向贴合,并用夹具固定;s4、加热退火,完成器件制备。本发明制造的半透明钙钛矿太阳能电池制造方法极其简单,自有玻璃封装效果,器件稳定性好。 | ||
搜索关键词: | 半透明 钙钛矿 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
半透明钙钛矿太阳能电池,其特征在于,电池由两层ITO导电玻璃以及夹在ITO导电玻璃之间的P型层、CH3NH3PbI3吸光层和N层组成,所述的P型层为polyTPD、PEDOT:PSS、NiO、CuI中的一种,所述的N型层为TiO2、ZnO、SnO2中的一种,所述的CH3NH3PbI3吸光层为半透明结构,厚度在50‑200 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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