[发明专利]一种实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法有效
| 申请号： | 201710261209.7 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107021784B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈祖信;楚盛 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C04B41/45 | 分类号： | C04B41/45;C01B19/00;C01G9/03;B01J27/057 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常压可控制备大面积p型层状GaTe纳米片自组装纳米花的方法，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备一层形状为纳米花的ZnO薄膜，作为GaTe生长过程中的种子层；b)将准备好的前驱体样品放入管式炉中，在常压、高纯氩气的环境中生长GaTe；c)使用扫描隧道显微镜、拉曼、光致发光、原子力显微镜、透射电镜等表征手段测试所合成材料。所述GaTe镓的形貌由ZnO的形貌和生长条件如时间长短、氩气流量、温度等控制，而ZnO纳米花的制备通过调节气流量和温度等条件来控制。本发明高效而且合成可控，制备得到的GaTe/ZnO纳米花异质结结构有明显的pn结整流效应，可用于光电催化产氢等应用，此外对于GaTe这种新型二维材料的生长也提供了借鉴之用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米花 制备 形貌 可控制 纳米片 自组装 常压 扫描隧道显微镜 原子力显微镜 合成材料 前驱体样品 异质结结构 表征手段 二维材料 高纯氩气 工艺步骤 光电催化 光致发光 生长过程 生长条件 透射电镜 整流效应 氩气流量 蓝宝石 生长 管式炉 气流量 种子层 碲化镓 产氢 衬底 放入 可控 可用 合成 测试 应用 | ||
【主权项】：
1.一种实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于，其工艺步骤如下：a)在蓝宝石衬底上制备一层形状为纳米花的ZnO薄膜，作为GaTe生长过程中的种子层；所述蓝宝石衬底为退过火的蓝宝石衬底；具体退火工序包括：将清洗干净的蓝宝石衬底直接放入双温区化学气相沉积炉管中，炉管直径6英寸，抽真空至2.7Pa，然后通入纯度为5N，流量为1000sccm的高纯氩气至常压状态，洗气30分钟，然后在氩气流量为100sccm的氛围、炉管真空度为常压的状态下加热60分钟至1000℃，退火1min，自然降温至常温，完成对蓝宝石衬底的退火工序；b)将准备好的前驱体样品放入管式炉中，在常压、高纯氩气的环境中制备p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花。
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