[发明专利]一种减少碳化硅单晶中包裹体的坩埚及利用坩埚生长单晶的方法有效
| 申请号： | 201710262861.0 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107059130B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;徐现刚;杨祥龙;彭燕;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法，包括外坩埚和坩埚盖，在外坩埚内设置有内坩埚，所述的内坩埚包括底部和侧壁，侧壁为双层侧壁，双层侧壁包括内壁和外壁，内壁上设置有贯穿内壁的小孔，双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖。本发明的内坩埚将处于高温位置容易碳化的SiC粉料封闭于内坩埚的内壁与外壁之间的夹层中，粉料碳化后的微小碳颗粒不能输运到籽晶表面，同时内腔中的粉料对夹层中热解的气相起到过滤作用，避免了碳颗粒传输到SiC单晶表面，从而大大减少SiC单晶中的碳包裹体，生长得到厚度为20mm的SiC单晶无碳包裹体生成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 碳化硅 单晶中 包裹 新型 坩埚 利用 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少碳化硅单晶中包裹体的坩埚，包括外坩埚，外坩埚端口设置有密封外坩埚的坩埚盖，其特征在于，在外坩埚内设置有内坩埚，所述的内坩埚包括底部和侧壁，侧壁为双层侧壁，双层侧壁包括内壁和外壁，内壁上设置有贯穿内壁的小孔，内壁上小孔的直径为8‑12mm，小孔之间的间距为20‑35mm；双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖，内坩埚的高度为外坩埚内腔垂直高度的1/2‑2/3，所述的内壁、外壁均呈圆柱形，所述的内壁与外壁之间的间距为15~25mm。
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