[发明专利]湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法有效
申请号: | 201710262995.2 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN106992136B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 夏青林 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法。本发明的湿法蚀刻设备包括用于传送基板的传送装置、及多个设于所述传送装置上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管;所述传送装置的承载面划分为多个区域,所述多个喷淋管在承载面多个区域的上方对应划分为与承载面之间高度不相同的多个组,以使在倾斜传送基板时,基板在不同区域上所受到的喷淋压力不同,从而来减小基板两侧区域上蚀刻液的置换率差异,进而减小基板两侧区域上蚀刻尺寸偏差的差异,改善蚀刻尺寸的均一性。 | ||
搜索关键词: | 湿法 蚀刻 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种湿法蚀刻设备,其特征在于,包括用于传送基板(50)的传送装置(10)、及多个设于所述传送装置(10)上方用于向基板(50)表面喷淋蚀刻液的喷淋管(21);所述传送装置(10)具有用于承载基板(50)的承载面,设所述传送装置(10)对基板(50)传送的方向为第一方向(X),与所述第一方向(X)垂直且与所述传送装置(10)的承载面平行的方向为第二方向(Y),所述传送装置(10)的承载面在沿第二方向(Y)上相对于水平面逐渐升高而呈倾斜状,从而对基板(50)进行倾斜式传送;所述传送装置(10)的承载面划分为沿第二方向(Y)排列的第一至第N区域,其中N为大于1的自然数,所述多个喷淋管(21)在第一至第N区域的上方对应划分为第一至第N组,所述多个喷淋管(21)与所述承载面之间的高度在由第一至第N组逐渐降低,从而使基板(50)在第一区域至第N区域上所受到的喷淋压力不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造