[发明专利]一种发光二极管的芯片结构以及灯具在审
| 申请号： | 201710263221.1 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107086261A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 尹宁宁;肖伊茜;肖伊一 | 申请（专利权）人： | 蒋雪娇 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H05B33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 441000 湖北省襄樊市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管的芯片结构，以及利用该发光二极管制作的灯具。芯片结构包括衬底，衬底上方依次沉积有n型半导体层和发光层，所述发光层的中部蚀刻有环形槽并使得n型半导体的部分外露，形成外漏部；n型半导体的外露部依次沉积有n极接触层和n极电极层；位于环形槽外的发光层表面依次沉积有P型半导体层和P极接触层，P极接触层表面沉积有环形的P极电极层。通过设置环形槽，使得n极电极层与p极电极层相对的面积增大，避免电流集中，影响到发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 结构 以及 灯具 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的芯片结构，其特征在于：包括衬底，衬底上方依次沉积有n型半导体层和发光层，所述发光层的中部蚀刻有环形槽并使得n型半导体的部分外露，形成外漏部；n型半导体的外露部依次沉积有n极接触层和n极电极层；位于环形槽外的发光层表面依次沉积有P型半导体层和P极接触层，P极接触层表面沉积有环形的P极电极层。
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