[发明专利]包含电和光学互连的半导体晶片接合有效
| 申请号： | 201710265039.X | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106935489B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | H.S.埃尔-霍罗里;庄奇理;K.亚达瓦利;范谦 | 申请（专利权）人： | 奥斯坦多科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法是通过如下实现的：将一个晶片上的光学互连与第二晶片上的光学互连融合，将一个晶片上的电互连与第二晶片上的电互连融合，并且将一个晶片上的介电中间接合层与第二晶片上的介电中间接合层融合，以接合晶片连同晶片之间的电互连和光学互连。所述方法也适用于接合半导体晶片以在晶片之间提供高密度的电互连。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 光学 互连 半导体 晶片 接合 | ||
【主权项】：
一种用于将III‑V半导体晶片接合到CMOS硅晶片的方法，包括：在晶片上形成接合表面以通过以下方式在接合的晶片之间转移电信号：分别在每个晶片的表面上形成介电中间接合层，在该表面内嵌入用于转移电信号的电互连；将一个晶片上的电互连与第二晶片上的电互连进行融合，并且将一个晶片上的介电中间接合层与第二晶片上的介电中间接合层进行融合，以接合晶片连同晶片之间的电互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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