[发明专利]一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法有效

专利信息
申请号: 201710265058.2 申请日: 2017-04-21
公开(公告)号: CN106835035B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 刘卫国;周顺;王泉;葛少博;惠迎雪;蔡长龙;陈智利 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/10;C23C14/18;C30B33/00;C30B29/14
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及光学元件表面平坦化方法。本发明主要针对单点金刚石车床车削后的磷酸二氢钾(KH2PO4又称KDP)非线性光学晶体材料作为加工对象,采用离子束溅射沉积的方法在磷酸二氢钾光学晶体材料的光学表面沉积一层硅或者二氧化硅或者二氧化硅与硅的复合薄膜,再经真空冷却后在磷酸二氢钾光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度较低的硅薄膜或二氧化硅薄膜或二者组成的复合薄膜,薄膜层的上表面为平坦化表面。本发明在磷酸二氢钾表面形成一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低且致密的硅薄膜或二氧化硅薄膜或二者的复合薄膜,工艺过程简单,在低温真空环境就能在磷酸二氢钾表面获得较好的平坦化效果,对后期磷酸二氢钾类晶体的离子束抛光作了良好的铺垫。
搜索关键词: 一种 磷酸 二氢钾类 晶体 光学 表面 平坦 方法
【主权项】:
1.一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法,包括以下步骤:步骤(1)、准备经过单点金刚石车床车削抛光后的磷酸二氢钾(KH2PO4)非线性光学晶体材料作为加工对象;步骤(2)、采用离子束溅射沉积的方法在磷酸二氢钾光学晶体材料表面沉积一层或复合层薄膜;步骤(3)、经真空冷却处理后在磷酸二氢钾光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度低的薄膜层,薄膜的上表面为平坦化表面;所述步骤(2)中,所述薄膜的靶材料选用硅,靶材规格为536×114×10.5mm;溅射沉积的条件为:离子束电压 500V,离子束电流 150mA,离子束加速电压 300V,离子束加速电流 100mA,工作气体为氩气,通气流量:35sccm,工作压强:5.71E‑2Pa,离子束入射角45°,溅射沉积时间 1‑2h;所述步骤(3)中,真空冷却:温度 25℃~50℃,时间4h~8h。
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