[发明专利]一种SiGeSn太阳能电池光伏组件

摘要

本发明涉及一种SiGeSn太阳能电池光伏组件，属于太阳能光伏发电技术领域，所述SiGeSn太阳能电池光伏组件从下到上依次包括光伏散热背板、第一EVA封装层、第一导热硅胶封装层、SiGeSn太阳能电池片层、第二导热硅胶封装层、第二EVA封装层、透明玻璃盖板。本发明采用的SiGeSn太阳能电池片具有优异光电转换效率，同时在SiGeSn太阳能电池片层的上表面和下表面分别设置导热硅胶封装层，提高了该SiGeSn太阳能电池光伏组件的散热性能和抗震性能，延长了光伏组件的使用寿命。

主权项

1.一种SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述SiGeSn太阳能电池光伏组件从下到上依次包括光伏散热背板、第一EVA封装层、第一导热硅胶封装层、SiGeSn太阳能电池片层、第二导热硅胶封装层、第二EVA封装层、透明玻璃盖板；所述第一导热硅胶层按照重量百分比计算由以下组分组成：甲基苯基硅油100份，乙烯基硅油50‑80份，含氢硅油20‑30份，铂金催化剂0.1‑0.5份，抑制剂1‑3份，硅烷偶联剂3‑5份，导热纳米颗粒80‑150份，二氧化钛颗粒20‑50份；所述SiGeSn太阳能电池片层包括多个呈矩阵排列的SiGeSn太阳能电池片，所述SiGeSn太阳能电池片包括从下到上依次排列的背面电极、P型单晶硅基底、P型硅微米柱阵列、N型磷掺杂SiGeSn层、透明导电层、应力引入层、上电极，其中，N型磷掺杂SiGeSn层是在所述P型硅微米柱阵列上外延不同组分的Si、Ge和Sn制得，其通式为SixGeySn1‑x‑y，其中，0.5≤x≤0.8，0.1≤y≤0.5，x+y＜1，所述P型硅微米柱阵列和所述N型磷掺杂SiGeSn层形成核‑壳结构，所述P型硅微米柱阵列的单个硅微米柱的长度为100‑500微米，所述单个硅微米柱的直径为2‑10微米，相邻硅微米柱的间距为10‑50微米，所述N型磷掺杂SiGeSn层的厚度为100‑500纳米；所述第二导热硅胶层按照重量百分比计算由以下组分组成：甲基苯基硅油100份，乙烯基硅油50‑80份，含氢硅油20‑30份，铂金催化剂0.1‑0.5份，抑制剂1‑3份，硅烷偶联剂3‑5份，导热纳米颗粒80‑150份，无碱玻璃纤维5‑15份。