[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710266672.0 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107195686B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是提供包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和改进的可靠性。在包括氧化物半导体膜的晶体管中，通过分别使用含有第13族元素及氧的材料形成与氧化物半导体膜接触的绝缘膜，能够保持与氧化物半导体膜的界面的良好状态。再者，通过该绝缘膜分别包括氧比例多于化学计量组成中氧比例的区域，向氧化物半导体膜供应氧，从而能够降低氧化物半导体膜中的氧缺陷。此外，通过与氧化物半导体膜接触的绝缘膜分别采用叠层结构，使得在氧化物半导体膜之上以及之下设置分别含有铝的膜，能够防止水侵入到氧化物半导体膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的包含氧化铝的第一金属氧化膜；所述第一金属氧化膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的包含氧化铝的第二金属氧化膜；以及所述第二金属氧化膜上的包含氧化铝的第三金属氧化膜。
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