[发明专利]胶带及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710267097.6 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107325741A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;井上真一;森田等;恒川诚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/00;C09J11/08;C09J11/04;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及胶带及半导体装置的制造方法。本发明的一个实施方式的目的在于提供能够抑制破片的产生和芯片裂纹的产生的胶带。本发明的一个实施方式涉及包含隔膜和薄膜的胶带。薄膜包含粘接剂层和基材层。粘接剂层位于隔膜与基材层之间。在薄膜的晶圆固定部中，粘接剂层及基材层的90度剥离力可以为0.015N/20mm～0.4N/20mm。在薄膜的切割环固定部中，粘接剂层及基材层的180度剥离力可以为0.5N/20mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 胶带 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种胶带，其包含隔膜和薄膜，所述薄膜包含粘接剂层和基材层，所述粘接剂层位于所述隔膜与所述基材层之间，在所述薄膜的晶圆固定部中，所述粘接剂层及所述基材层的90度剥离力为0.015N/20mm～0.4N/20mm，在所述薄膜的切割环固定部中，所述粘接剂层及所述基材层的180度剥离力为0.5N/20mm以上。
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