[发明专利]MEMS芯片及其电封装方法有效
| 申请号： | 201710267612.0 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN108726470B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 魏玉明 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种MEMS芯片及其电封装方法。该MEMS芯片包括MEMS器件层、位于MEMS器件层下方的第一隔离层和位于第一隔离层下方的第一导电层，第一隔离层对应第一区域中的导电结构位置和第二区域中的电极位置有相应数目的第一导电通孔，第一导电层上存在相互独立的M个电极，M个电极分别与M个第一导电通孔连接，M根据导电结构数目和第二区域中的电极数目设置，第一导电层上对应第一区域中导电结构位置的电极和对应第二区域中电极位置的电极一一对应电连接。从而实现了MEMS‑SOI芯片的电封装。 | ||
| 搜索关键词： | mems 芯片 及其 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片包括MEMS器件层、第一隔离层和第一导电层，所述MEMS器件层包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包括MEMS可动结构和导电结构，所述导电结构分布在所述MEMS可动结构之间，所述第二区域为电极排布区域，所述导电结构与所述第二区域中的电极在所述MEMS芯片的上表面电学绝缘；所述第一隔离层位于所述MEMS器件层下方，所述第一隔离层对应所述第一区域中的导电结构位置和所述第二区域中的电极位置有相应数目的第一导电通孔；所述第一导电层位于所述第一隔离层下方，所述第一导电层上存在相互独立的M个电极，所述M个电极分别与M个所述第一导电通孔连接，其中，M为正整数，M根据所述导电结构数目和所述第二区域中的电极数目设置；所述第一导电层上对应所述第一区域中导电结构位置的电极和对应所述第二区域中电极位置的电极一一对应电连接。
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