[发明专利](0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710268906.5 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN108735795B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 林文魁;曾春红;张宝顺;孙玉华;张璇 | 申请（专利权）人： | 苏州能屋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的 |
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| 搜索关键词： | 0001 外延 六方相 sic 晶圆 umosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆，其特征在于：所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成所述多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与所述外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的![]()
晶面或![]()
晶面平行。
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