[发明专利]高压电路

摘要

本发明提供一种高压电路，第一金属氧化物半导体场效晶体管为栅极与输入电压耦接的低压元件，其与第二金属氧化物半导体场效晶体管串联耦接，两者皆为第一导电类型，保护电路包含第三、第四、以及第五金属氧化物半导体场效晶体管，第三金属氧化物半导体场效晶体管具有第二导电类型以及与输入电压耦接的源极与基极，第四金属氧化物半导体场效晶体管具有第一导电类型，以及与第三金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的漏极，与第二偏压耦接的栅极，以及与第一电源端耦接的源极与基极，第五金属氧化物半导体场效晶体管具有第一导电类型以及与第一电压耦接的漏极、与第四金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的栅极以及与第一电源端耦接的源极。

主权项

1.一种高压电路，其特征在于，所述高压电路包含用于保护一低压金属氧化物半导体场效晶体管的一保护电路，其中多个高压元件配置为在一电源供应电压下操作，且多个低压元件配置为在低于所述电源供应电压的一最大容许电压下操作，所述高压电路包含：一第一金属氧化物半导体场效晶体管，为一第一导电类型的低压元件，且具有与一输入电压耦接的栅极以及与一第一电源端耦接的源极；一第二金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的高压元件且与所述第一金属氧化物半导体场效晶体管串联，所述第二金属氧化物半导体场效晶体管具有与所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的源极以及与一第一偏压耦接的栅极；以及一保护电路，用于保护所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极‑源极接面，所述保护电路包含：一第三金属氧化物半导体场效晶体管，为一第二导电类型的元件且具有与所述输入电压耦接的源极；一第四金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的元件且具有与所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的漏极、与一第二偏压耦接的栅极、以及与所述第一电源端耦接的源极与基极；及一第五金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的元件且具有与所述输入电压耦接的漏极、与所述第四金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的栅极、以及与所述第一电源端耦接的源极。