[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体的制备方法

摘要

本发明涉及一种烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括将烧结磁体R1‑Fe‑B‑M进行预处理；将重稀土粉末与金属Ga混合，然后与有机溶剂混合制得浆料，混合粉末中Ga的含量为0.5‑20wt％；所述的重稀土是指Dy、Tb、Dy与Tb的合金、Dy或Tb的氢化物的一种或几种的复配；将所得的浆料覆盖于烧结磁体表面，磁体表面浆料的厚度为20‑200μm，然后烘干后进行晶界扩散处理。本发明的方法利用Ga在混合粉末的浆料中自粘结作用，克服了直接涂敷氟化物、氢化物粉末易脱落的问题，以及添加粘结剂造成的过量的C、N同重稀土一起渗入到磁体内导致磁性能降低的缺点。

主权项

1.一种烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)将烧结磁体R1-Fe-B-M进行预处理；所述的预处理是指除油、酸洗、活化及去离子水清洗；/n2)将重稀土与Ga的混合粉末与有机溶剂、抗氧化剂混合制得浆料，混合粉末中Ga的含量为0.5-20wt％，抗氧化剂为三氯甲苯；以混合粉末的重量计，所述抗氧化剂占0.5-2％；所述的重稀土是指Dy、Tb、Dy与Tb的合金、Dy或Tb的氢化物中的一种或几种的复配；/n所述的有机溶剂为醇类、醛类、酮类化合物中的一种；/n所述浆料中混合粉末与有机溶剂的重量比为3：2～3：1；/n3)将步骤2)所得的浆料覆盖于步骤1)所得的烧结磁体表面，浆料的厚度为20-200μm,然后进行干燥处理；/n使浆料覆盖于烧结磁体表面的方法为喷涂法、涂覆法、浸渍法中的一种；/n所述干燥的温度为100-400℃，惰性气氛下干燥；/n4)将步骤3)中所得的磁体进行晶界扩散处理，所述晶界扩散处理采用的烧结温度为800-1000℃，烧结时间为2-16h；时效处理温度为450～590℃，时效处理的时间为2～6h。/n