[发明专利]三氧化二铝薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201710271598.1 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN107130228B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 王慷慨;熊玉明 | 申请(专利权)人: | 美的集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 528311 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了三氧化二铝薄膜及其制备方法,该三氧化二铝薄膜包括:(1)配置前驱体溶液,其中,该前驱体溶液包括α‑Al2O3水溶胶、助剂和去离子水;(2)提供干净的基板,并将基板放入前驱体溶液中进行沉积处理;以及(3)将表面沉积有前驱体溶液的基板进行烧结处理,以便获得镀有三氧化二铝薄膜的基板。本发明所提出的制备方法,获得的三氧化二铝薄膜的结晶度高、致密性好,且由于采用了液相化学沉积法,该制备方法具有成本低、设备简单、操作简便、镀膜效率更高的优点,相比于传统有的气相沉积法,该方法的工艺流程简单,还无需高昂的真空维持系统与气路控制系统,因此具有大规模产业化生产的潜力。 | ||
搜索关键词: | 三氧化二铝薄膜 前驱体溶液 基板 制备 气路控制系统 液相化学沉积 产业化生产 气相沉积法 表面沉积 镀膜效率 去离子水 烧结处理 真空维持 致密性好 工艺流程 结晶度 水溶胶 放入 沉积 配置 | ||
【主权项】:
1.一种制备三氧化二铝薄膜的方法,其特征在于,包括:(1)配置前驱体溶液,其中,所述前驱体溶液包括α‑Al2O3水溶胶、拟薄水铝石、助剂和去离子水,所述α‑Al2O3水溶胶中α‑Al2O3的颗粒尺寸不大于80nm、固含量为5~30w/w%,且所述拟薄水铝石的重量与所述α‑Al2O3水溶胶和所述去离子水的总重量之比大于0%且不小于50%;(2)提供干净的基板,并将所述基板放入所述前驱体溶液中进行沉积处理;以及(3)将表面沉积有所述前驱体溶液的基板进行烧结处理,以便获得镀有所述三氧化二铝薄膜的基板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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