[发明专利]用于使用分布式触发电路保护免于静电放电的设备

摘要

本申请涉及用于使用分布式触发电路保护免于静电放电的设备。设备在位于掩埋隔离层上的半导体薄膜中及其上制造，该掩埋隔离层自身位于半导体阱的顶部上。该设备包括：第一端子和第二端子；至少一个模块，包括至少一个MOS晶体管，该至少一个MOS晶体管在该第一端子与该第二端子之间连接，并且使其栅极区域、其衬底或本体和该阱电耦合；至少一个阻容式电路，被配置成用于当静电放电发生在该第一端子或该第二端子上时使该MOS晶体管导通，该至少一个阻容式电路与该晶体管的源极区域、栅极区域或漏极区域中的至少一者具有公共部分并且包括电容元件和电阻元件，该电容元件的第一电极包括该电阻元件并且该电容元件的第二电极包括该半导体薄膜的至少一部分。

主权项

一种用于保护免于静电放电的设备，所述设备在位于掩埋隔离层(2)上的半导体薄膜(1)中及其上制造，所述掩埋隔离层自身位于半导体阱(3)的顶部上，所述设备包括：第一端子(B1)和第二端子(B2)；至少一个模块(MD1)，所述至少一个模块包括至少一个MOS晶体管(TR)，所述至少一个MOS晶体管布置在所述第一端子(B1)与所述第二端子(B2)之间，耦合至所述第一端子和所述第二端子，并且使其栅极区域(G)、其衬底(或本体)(B)和所述阱(3)电耦合；至少一个阻容式电路(RC)，所述至少一个阻容式电路被配置成用于当静电放电发生在所述第一端子(B1)或所述第二端子(B2)上时使所述MOS晶体管(TR)导通，所述至少一个阻容式电路(RC)与所述晶体管的源极区域、栅极区域或漏极区域中的至少一者具有公共部分并且包括电容元件和电阻元件，所述电容元件的第一电极包括所述电阻元件并且所述电容元件的第二电极包括所述半导体薄膜(1)的至少一部分。